速度比U盘快万倍 电荷存储10纳秒写入速度

　　原标题：这种新存储技术 比U盘快1万倍

　　扬子晚报讯（记者 罗晓娜）国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者从复旦大学微电子学院获悉，该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期。